本研讨选用绝缘体上硅（Silicon‐On‐Insulator，SOI）技能刻蚀制造的芯片级腔光力加速度计作为试验的光机械体系。经过调理光纤耦合状况改动腔内光场模态体积，完成光机械耦合强度的可控性。验证强互锁状况下机械品质因数（Q值）的提高及体系底噪的限制作用。开发高灵敏度的腔光力加速度传感器，方针频段为千赫兹规模。

  1、光学体系：激光源（作业波长1510nm）、光纤偏振控制器（FPC）、V型光纤锥（透射率90%）。光电探测器（PD）、电子频谱仪（ESA）、数据采集卡（DAQ）。

  3、中心器材：硅基二维光子晶体谐振腔（尺度16μm×10μm，晶格常数510nm）。高压放大器（用于驱动压电陶瓷发生加速度信号）。

  注：①激光源；②光纤跳线；③三环偏振控制器；④真空光纤法兰；⑤真空腔；⑥光电探测器；⑦频谱仪；⑧真空排针；⑨电压源；⑩波形发生器；⑪高压放大器；⑫射频跳线；⑬数据采集器；⑭核算机；⑮显微镜；⑯点光源；⑰真空计。

  （2）监测自脉冲振动（1510.40–1511.06nm）与光机械自继续振动（1511.06–1511.86nm）的共存状况，自脉冲振动和光机械共振共存的过渡状况光学特性如图2所示。

  （1）在强互锁形式下，施加6kHz沟通加速度鼓励，记载机械谱呼应。图3显现了强互锁形式下的光机械传感呼应，其间，黑线）表明停止状况下光机械传感器的功率谱密度，而6kHz处的蓝线）和红线）则表明在施加不同幅值的6kHz沟通加速度后的机械谱。

  （2）经过频谱剖析核算灵敏度，并比照弱/强互锁状况的Q值与底噪差异，对其进行线kHz处加速度计的灵敏度为126.58mV/g如图4所示。

  试验成果：1、Q值提高：强互锁状况下机械Q值较弱互锁状况提高约10倍。2、噪声按捺：体系底噪下降26dB。3、灵敏度：加速度传感器在6kHz下到达126.58mV/g的灵敏度。4、光机械确定：功完成低频（72.2kHz）光机械共振与自脉冲的互锁。

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